等離子體改性及刻蝕可分為兩個過程：首先，在等離子體中產生化學活性成分；其次，這些活性成分與固體材料發生反應，形成揮發性化合物，從表面擴散開來。例如，CF4離解產生的f與s反應生成SiF4氣體，導致在含Si材料表面形成微銑削結構。等離子刻蝕是一個總稱，包括離子刻蝕、濺射刻蝕和等離子灰化。

　　

　　基材和工藝參數決定了表面改性的類型，基材溫度、處理時間和材料擴散特性決定了改性的深度。等離子只能在表面蝕刻幾微米，改性材料的表面性能發生了變化，但仍能保持材料的大部分性能。該技術還可用于表面清洗、定線、粗化、改變親水性和附著力等，還可使電鏡下觀察的樣品變薄，用于半導體集成電路的制造過程。在化學濺射中，會發生反應并產生揮發性產物。常見的氣體包括AR、He、O2、H2、H2O、CO2、Cl2、F2和有機蒸氣。與化學反應的等離子濺射相比，惰性離子濺射更像是一個物理過程。

　　

　　等離子體改性及刻蝕工藝中具有很多優勢，比如可以更精確地控制工作尺寸、更高的刻蝕速率和更好的材料選擇性。高密度等離子源可以在低壓下工作，以減少鞘層振蕩。在使用高密度等離子源蝕刻晶圓時，為了使能量和離子通量相互獨立，需要使用獨立的射頻源對晶圓進行偏置。因為典型的離子能量在幾個電子伏特量級，離子進入負鞘層后，加速后能量會達到幾百個電子伏特，并且具有很高的指向性，從而賦予離子刻蝕的各向異性。

　　

　　多功能寬密度等離子體改性及刻蝕產品特點：

　　

　　1、基板臺可電動旋轉、加熱和提升。

　　

　　2、配備手動高真空閘閥、手動角閥和電腦復合真空計。

　　

　　3、由于采用超高真空密封技術，極限真空度高，沉積室可進入10-5pa量級，可保證更高的鍍層純度，提高鍍層質量。

　　

　　4、自動監控與保護功能，包括缺水欠壓檢測與保護、相序檢測與保護、溫度檢測與保護、真空系統檢測與保護等。

　　

　　5、配備可切換觀察窗，方便觀察和取樣。

　　

　　6、設備真空系統采用分子泵+機械泵真空機組。

　　

　　7、采用磁耦合傳動密封技術密封運動部件。